近年來，下代氧化物半導體作為下一代存儲架構的存儲材料潛力材料受到廣泛關注，其關鍵優(yōu)勢在于可實現與后端互連工藝（BEOL）兼容的下代邏輯與存儲器件。本文報道了基于氧化物半導體溝道的存儲材料 BEOL 存儲器件在近期取得的進展與面臨的挑戰(zhàn)，包括類 DRAM 的下代 1T-1C 存儲單元、無電容增益單元以及非易失性鐵電場效應晶體管（Ferroelectric FET）。存儲材料文章分析了氧化物溝道的下代關鍵特性，重點關注在材料與器件工藝技術方面的存儲材料進展，這些進展有助于提升存儲器的下代核心指標，如耐久性、存儲材料數據保持特性以及可擴展性。下代這些研究結果為優(yōu)化基于氧化物半導體的存儲材料存儲器件、以滿足下一代應用需求，下代提供了有價值的存儲材料參考。
下代引言
作者:時尚
